열적으로 선택되는 교차점 mram 셀 레이아웃

Layout for thermally selected cross-point mram cell

Abstract

본 발명에 따르면, 적어도 제1 및 제2물질(24/26)을 포함하는 제2자기층(20)을 갖는 자기 메모리 셀(14)을 포함하는 저항성 메모리 디바이스(40) 및 그 제조 방법이 제공된다. 제2물질(26)의 퀴리 온도는 제1물질의 퀴리온도보다 낮다. 복수의 비연속적인 제2도전라인(22)은 자기 메모리 셀(14) 위에 배치된다. 전류(28)는 제2물질(26) 퀴리 온도보다 높은 온도로 제2물질(26)의 온도를 증가시키도록 제2도전라인(22)을 통해 흐르게 되어 제2물질(26)이 그 강자성 특성을 상실하게 하므로, 메모리 어레이(40)에 증가된 기록 선택성을 제공할 수 있다.

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    KR-100809724-B1March 06, 2008삼성전자주식회사Bipolar switching type nonvolatile memory device having tunneling layer