Method for formating copper diffusion prevention film in semiconductor

반도체의 구리 확산 방지막 형성방법

Abstract

본 발명은 반도체의 구리 확산 방지막 형성방법에 관한 것으로, 유전체 상에 티타늄을 글루 레이어(glue layer)로 형성하는 단계와, 형성된 티타늄 상에 CVD 방법으로 구리 시드(seed)를 형성하는 단계와, 구리 시드 상에 산화법을 수행하여 산화 구리(Cu2O)의 구리 산화물로 변환하는 단계와, 구리 산화물을 환원법을 수행하여 저밀도 구리로 변환하는 단계와, 저밀도 구리 상에 티타늄 임플란테이션 하여 구리 티타늄(Cu-Ti) 합금(alloy)을 형성하는 단계와, 형성된 구리 티타늄(Cu-Ti)을 질화법을 수행하여 질화 구리/질화 티타늄(CuN/TiN)의 혼합체로 만드는 단계와, 혼합체 상에 구리를 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 본원 발명은 좋은 확산 배리어(diffusion barrier)와, 낮은 컨택 저항과, 그리고, 낮은 스트레스(stress)를 얻을 수 있는 효과가 있다.
PURPOSE: A method for forming a copper diffusion prevention film in a semiconductor device is provided to obtain a good diffusion barrier, a low contact resistance and a low stress by forming a mixed type barrier of CuN and TiN. CONSTITUTION: A glue layer of titanium is formed on a dielectric(10). A copper seed(80) is formed on the titanium glue layer by a CVD(Chemical Vapor Deposition) method. A copper of the copper seed is changed to a copper oxide(Cu2O) by an oxidation method. The copper oxide is transformed to a low density copper by a reduction method. A copper titanium alloy(CuTi) is formed on the low density copper by implanting a titanium. A mixture(70) of a copper nitride(CuN) and titanium nitride(TiN) is formed by nitridizing the copper titanium alloy. A copper is formed on the mixture(CuN/TiN).

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    KR-100835839-B1June 05, 2008동부일렉트로닉스 주식회사Method of manufacturing semiconductor device
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