Method for forming sample using analysis by tem

투과전자현미경 분석용 시편의 제작 방법

Abstract

A method of fabricating a sample for a TEM is provided to form a uniform thin film by overcoming a differential etching rate between a metal pattern and an insulation layer pattern of the sample. A preliminary sample(130) is prepared by attaching a dummy wafer to upper and lower surfaces of a semiconductor substrate. A position of an analysis area to be observed is marked on the upper surface of the preliminary sample(130). Then, an FIB etching is carried out from an upper outer peripheral portion of the preliminary sample towards a center portion of the preliminary sample. The semiconductor substrate includes a metal pattern(80a) and an insulation pattern(90a) of a metal insulator semiconductor capacitor.
관찰하고자 하는 분석 영역을 포함하고, 시편의 두께가 얇고 균일한 TEM 분석용 시편 제작 방법이 개시되어 있다. 금속 패턴 및 절연막 패턴을 포함하는 기판의 상면과 하면에 더미 웨이퍼를 각각 부착하여 예비 시편을 마련한다. 예비 시편의 상면에 금속 패턴 및 절연막 패턴을 관찰하고자 하는 분석영역의 위치를 마킹한다. FIB를 조사하여 예비 시편을 상면의 외측부에서 마킹 방향으로 식각함으로서 전자가 투과하는 두께를 갖는 중심구조물을 포함하는 TEM 분석용 시편을 형성한다. 따라서, 상술한 방법으로 형성된 TEM 분석용 시편은 분석 포인트를 포함하는 부위의 두께가 전자빔이 투과할 정도로 얇고 균일한 특성을 갖는다.

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